區域Array（Area array）

檢查墊以格子狀排列在芯片表面上。

Advanced Probe Card

懸臂型以外的探針卡的總稱。

ASIC (Application Specific Integrated Circuit)

專用IC。

BGA（Ball Grid Array）

一種表面貼裝型封裝。一種封裝，其中金屬球或金屬凸塊以規則的間隔以格子形式排列在封裝體的基底（底部）表面上，以便可以表面安裝在印刷線路板上以形成外部端子。

焊盤（bonding pad）

通常通過引線執行向芯片供應電源電壓和與外部交換信號。設置在芯片外圍部分的金屬電極用于將引線連接到內部電路的端子。

BIST（Built In Self Test）

內置自檢功能。DFT（測試設施設計）之一。由于用于執行測試的功能被包含在IC中，因此可以容易地檢查高速和多引腳IC。

焊點（bump）

通過電鍍等在IC的電極上形成的突起。通常，它由金（Au）或焊料形成，用于flip chip的基板連接。

老化（burn-in）

一種消除半導體初始缺陷的分選技術。在施加溫度和電壓的操作狀態下進行加速測試。

芯片/切片（chip/die）

半導細片。將半導體晶圓切割成一個個半導體器件。

CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor）

使用CMOS（互補金屬氧化物半導體）的固態成像裝置。與CCD圖像傳感器（圖像拾取裝置）類似，使用光電二極管（PD）。制造過程和信號讀取方法不同。通過為每個單元電池提供放大器，可以抑制由于讀取光學轉換的電信號而產生的電噪聲。

COF (Chip On Film)

一種超薄IC封裝，其中IC芯片安裝在薄膜形布線板上。

COG (Chip On Glass)

基于玻璃基板的產品，例如液晶顯示器和配備有光電轉換器件的封裝，其中IC芯片直接安裝在玻璃基板上。

CSP (Chip Size Package)

一種表面封裝型Package。為了增加安裝密度，使安裝有IC芯片的封裝基板具有與IC芯片相同的尺寸。

DFT (Design For Testability)

測試便利化設計,從設計的初期階段開始就考慮到測試的便利性，結合測試電路等的設計方法。

DRAM (Dynamic Random Access memory)

一種揮發性存儲器。除了計算機的主存儲器之外，它還被廣泛用作通用存儲器。

DUT(Device Under Test)

要測試的對象品。

測試便捷性設計（DFT）

針對大規模的理論回路 , 采用在IC中進行測試的技術來提高故障檢出率和縮短試驗時間 。

倒裝芯片（flip chip）

為了以高密度將IC芯片表面安裝在布線板上，芯片在IC芯片的表面上的電極上具有稱為凸塊的凸塊電極。布線板的突起和端子通過焊接或導電粘合劑彼此連接。

IC (Integrated circuit)

集成電路的通稱。

LSI (Large Scale Integrated circuit)

大規模集成電路的通用名稱。根據晶體管集成度的提高，它被稱為VLSI或ULSI。

MCU (microcontroller unit)

中央處理單元（CPU），RAM，ROM，I/O接口電路等集成在一個芯片上以用作微型計算機。它也被稱為“單片機”或“微控制器”。

MEMS (Micro Electro Mechanical System)

微型機電系統

MEMS型探針卡

利用MEMS技術的探針卡。Probe端子本身具有機械的動作構造。

微電腦（micro computer）

其中微處理器和用于執行計算處理的存儲器集成在一個芯片中的IC。最近，經常指的是用于家用電器等的電子控制的裝置。

混合信號（Mixed Signal）

模擬量和數字的混合電路。

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

場效應晶體管,是一種晶體管用于通過施加到柵電極的電壓來控制源極端子和漏極端子之間的電流。

NAND閃存（NAND type Flash Memory）

一種不易揮發的存儲器，其內容在沒有外部電源的情況下不會消失。主要用于USB存儲器，數碼相機存儲卡，便攜式音樂播放器和移動電話的存儲設備。東芝于1987年提案。

NOR閃存

一種不易揮發的存儲器，其內容在沒有外部電源的情況下不會消失。與NAND型閃存不同，可以通過在讀取數據時以與RAM相同的方式通過指定地址來訪問數據。由于數據非常可靠并且不需要NAND類型閃存所需的糾錯（ECC），因此可用于高信賴性的路由器，打印機，GPS設備和車載設備等硬盤的環境中存儲固件。不能使用諸如微型計算機等的高可靠性。

外圍設備（peripheral）

外圍設備是指端子布置在IC芯片的四個側面上的狀態。

SiC

碳化硅硅（Si）和碳（C）的化合物，是用于高功率器件等的半導體材料。。實現了導通電阻非常低的高耐壓器件。

SoC（System on Chip）/系統LSI

一種大型IC，可在單個芯片上實現系統的大部分功能。通過組合多個IC形成的功能被集成到一個芯片中。可以實現小型和高性能設備。它主要由處理器，存儲器，輸入/輸出電路，接口電路，通信電路等組成。

SRAM (Static Random Access Memory)

與DRAM 不同，它被稱為“靜態”，因為它不需要定期刷新（存儲器保持操作）。雖然數據可以保持很短的時間，但是當電源停止時存儲的數據會丟失。

晶圓（Wafer）

硅（Si），砷化鎵（GaAs）等以圓柱形狀結晶，把它切成圓形薄片的基板, 并且在基板的表面上形成半導體電子電路

晶圓測試/探針測試（Wafer Test/Probe Test）

通過探針接觸在晶圓芯片上綁定的Pad,來進行電氣試驗。

WLCSP (Wafer Level Chip Size Package)

通過在切割晶圓之前形成端子，布線等，然后切割晶圓來形成CSP。

前制程

在制造半導體器件的過程中，通過工藝設備在晶圓上形成各個器件。它也被稱為晶圓工藝。

最終測試/包裝測試

在組裝IC上進行電氣測試。

半導體

像金屬那樣具有導電性的“導體”和類似玻璃的非導電的“絕緣體”之間具有導電性的物質。通過施加電壓，光或熱，具有電流流動或不流動的特性。

懸臂型探針卡

以探針單側為支點來進行檢測的探針卡。需要手動作業。

后制程

在LSI制造工藝中，在完成前制程（擴散處理）之后，將晶圓切割成芯片并密封在封裝中。

垂直型探針卡

垂直對準基板的探針卡。適用于Area Array、小Pad、低電圧、低針圧、高周波數的測定。

阻抗

施加電壓與流動電流的比率。單位為Ω（歐姆）。電壓除以電流。

綁定

電連接IC芯片表面上的焊盤和帶有金屬線等的封裝引線。

表面封裝

用于將IC或電子元件安裝（安裝）在諸如印刷線路板的基板表面上的形式或技術。它也被稱為SMT（Surface Mount Technology）。

裸芯片

沒有封裝的裸半導體芯片。剛剛從晶圓上切下的IC芯片。

非晶硅(Amorphous）

非晶:與完美晶體不同，它指的構成原子不規則排列是金屬，非金屬或半導體的狀態，非晶硅用于FPD的薄膜晶體管（TFT），因為它具有半導體的特性并且可以比結晶質更容易成膜。

Array測試（Array Test）

TFT Array的檢測。通過與面板接觸驅動Gate,向像素寫入電壓。通過測量寫入像素的電位或電荷量，檢查像素電路或布線的是否存在缺陷。使用探針可進行信號線單獨接觸的電荷測量的測試，可以確定高感度缺陷的類型等，并且Takt time很短。

Array制程

通過重復的成膜，光刻和蝕刻的工藝在玻璃基板上形成TFT Array的工藝。

CCD(Charge Coupled Device)

帶電耦合器件一種具有MOS結構的器件，其中大量傳輸電極排列在硅襯底表面上的氧化膜上，并具有自掃描功能和存儲功能。有區域傳感器（固態成像設備）等產品與光電二極管，線性傳感器和信號延遲元件相結合。

Cell過程

進行用于使液晶分子與Array基板或濾光片基板對準的工藝，并且將這些基板貼合以密封液晶。

Cell/Cell面板

將TFT Array基板和濾光片基板彼此貼合，并且液晶材料被密封在基板之間的面板。

LCD (Liquid Crystal Display)

液晶顯示器。

像素（pixel）

像素顯示器和成像設備的功能單位。彩色顯示器的紅色（R），綠色（G）和藍色（B）被稱為一個像素。合成語pix（pic：picture）和element（element）。

良品率（Yield）

無缺陷產品的百分比。

Mura

顯示區域不均勻。除了諸如亮度不均勻性，色度不均勻性，對比度差異和面積之類的因素之外，不均勻性的感知取決于人眼的視覺特性。

FPD (Flat Panel Display)

平板顯示器。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

絕緣柵雙極晶體管雙極晶體管，其中MOSFET結合在柵極部分中，雙極晶體管用于功率控制。

IGZO (Indium, Gallium, Zinc, Oxide)

由銦，鎵，鋅和氧制成的無定形半導體具有比非晶硅更高的遷移率和漏電流低的優點。

LTPS (Low Temperature Poly Silicon)

低溫多晶硅在600℃以下的低溫環境中形成。由于它可以在玻璃基板上形成，因此它具有可以以比高溫多晶硅更低的成本制造的優點。

OLED (Organic Light Emitting Diodes)

有機EL。一種電流注入型發光二極管，其中電子和空穴從電極注入并在有機固體內重新組合以發光。發光體中使用有機材料。

SBD (Schottky Barrier Diode)

使用由金屬和半導體之間的結合產生的肖特基障壁的二極管,具有開關速度快的優點。

TEG (Test Element Group)

是半導體IC或FPD Array的電路要素,晶體管，電容器和配線的各個要素的集合體，通過參數測試器，網絡分析器等測量出來的要素的特性，并用于評估制造過程和設計驗證。

TFT (Thin Film Transistor)

薄膜晶體管,一種類型的場效應晶體管,用于平板顯示器的像素電路中。

TFT Array

在液晶OLED中，像素以矩陣排列，并且用于驅動每個像素的TFT以像像素一樣的矩陣排列。這些TFT通常形成在基板上，稱為TFT陣列。每個像素電路包括TFT，顯示像素電極等，用于驅動TFT的柵極布線，用于傳輸要寫入像素的電壓的信號布線等垂直和水平延伸。

液晶

擁有像液體一樣的流動性，兼具電氣和光學結晶（固體）的特性。使用液晶作為光學快門的顯示器被稱為LCD。

彩色濾光片

用于在液晶顯示器中產生圖像色彩的濾光片。它由玻璃基板和彩色抗蝕劑組成，最常見的是紅色（R），綠色（G）和藍色（B），以形成一個像素。重復排列R，G和B圖案，并且每個圖案由格子形狀的黑色矩陣（BM）圍繞。

測試模式

在半導體檢側中 用于驗證IC的動作而輸入電氣信號，并且是基于檢查規范生成的。監視DUT的輸出并與預期值進行比較以確定檢查結果。在FPD檢查中，顯示用于檢查顯示器的顯示質量的屏幕顯示。顯示紅色，綠色，藍色，白色，黑色，灰度等，以檢測點缺陷，線缺陷，Mura等。

點燈測試

檢查面板的動作狀態。在顯示屏上顯示測試Pattern，并檢查是否存在點缺陷，線缺陷，Mura等。操作員進行目視檢查，使用CCD相機進行自動面板檢查。

有機EL顯示器

使用有機發光二極管的顯示器。EL是指Electro-luminescence或電致發光。有機EL顯示器具有諸如高對比度，寬視角和短響應時間的優點。

模組制程

將用于驅動Cell面板的，驅動器IC，配線,背光燈等的安裝制程。